台积电3NM或又要跳票
台积电3NM或又要跳票，据外媒digitimes最新报道，半导体设备厂商透露，台积电3纳米良率拉升难度飙升，台积电因此多次修正3纳米蓝图。台积电3NM或又要跳票。
台积电3NM或又要跳票1此前报道指，台积电（TSMC）将在2022年下半年量产N3制程节点，并计划推出名为N3E的增强型3nm工艺，将拥有更好的性能和功耗表现，量产时间为2023年下半年。此外，还可能推出成本和设计有所差异的N3B等方案。在去年末，台积电已经在Fab 18中启动了3nm芯片的试生产。
据DigiTimes报道，台积电的N3制程节点方案未能顺利推进，已不断进行修正，但良品率等整体效能的提升进度仍低于预期，甚至在某些部分出现困难，需要重新安排，导致苹果等多家客户近期下单均以N5制程节点及其衍生的工艺为主，扩大了N4、N4P和N4X等工艺的使用。台积电N3制程节点专为智能手机和高性能计算（HPC）芯片而设计，在N5制程节点上进一步应用极紫外光刻（EUV）技术，光罩层数将超过20层。台积电承诺N3工艺相比N5工艺，性能可提高10%-15%，或者降低25%-30%的功耗。
台积电总裁魏哲家曾表示，N3制程节点仍使用FinFET晶体管的结构，是为客户提供最佳的技术成熟度、性能和成本。在台积电3nm工艺技术推出的时候，将成为业界最先进的PPA和晶体管技术，N3制程节点将成为台积电另一个大规模量产且持久的.制程节点。早有 ……此处隐藏364个字……充道，台积电已经将3NM工艺划分出N3、N3E与N3B等多个版本，以符合不同客户的需求。目前来看，苹果、英特尔等大厂已经预定了大部分的3NM产能，现在台积电良率爬坡遇阻，不知道我们有没有机会如期看到各家大厂的最新产品。
相比于5NM，3NM制程的晶体管密度提升70%、性能提升15%、功耗降低30%，采用该制程的芯片无论是功耗还是性能表现，都会比5NM芯片有不小的提升，尤其是智能手机，内部空间有限，散热效果不能跟平板、PC等产品相比，所以对芯片制程的要求也就更高。
近两年，台积电的制程工艺总会优于三星，尤其是竞争异常激烈的7NM、5NM节点，前者生产的芯片基本都没有出现过翻车的迹象，而基于三星的5NM制程打造的骁龙、猎户座芯片，体验似乎都不太理想。
在3NM这个节点，三星用上了GAAFET环绕栅极场效应晶体管技术，理论上晶体管密度更高、功耗更低，而台积电的3NM很可能还是FinFET立体晶体管技术，也就是说，后者3NM良率爬坡受阻，三星有望获得更多反超的机会。
台积电多次修改蓝图，说明3NM的工艺难度确实比5NM要高不少，如果大规模量产延迟，苹果、英特尔等厂商可能都会成为最大的输家，毕竟台积电几乎是它们唯一的代工厂，新工艺推迟就意味着很多产品的发布会慢于对手。此外，3NM工艺的最终效果也成为了最关注的一个方面。
当然了，台积电总裁自信满满称3NM进度符合预期，可能说明良率爬坡只是“小插曲”，采用该工艺打造的新品还是能够如期而至，相信明年我们还是能看到新芯片准时发布。
