关闭→
当前位置:首页 > 女人悠闲 > 台积电3NM或又要跳票

台积电3NM或又要跳票

时间:2023-10-05 11:30:15
台积电3NM或又要跳票

台积电3NM或又要跳票

台积电3NM或又要跳票,据外媒digitimes最新报道,半导体设备厂商透露,台积电3纳米良率拉升难度飙升,台积电因此多次修正3纳米蓝图。台积电3NM或又要跳票。

  台积电3NM或又要跳票1

此前报道指,台积电(TSMC)将在2022年下半年量产N3制程节点,并计划推出名为N3E的增强型3nm工艺,将拥有更好的性能和功耗表现,量产时间为2023年下半年。此外,还可能推出成本和设计有所差异的N3B等方案。在去年末,台积电已经在Fab 18中启动了3nm芯片的试生产。

据DigiTimes报道,台积电的N3制程节点方案未能顺利推进,已不断进行修正,但良品率等整体效能的提升进度仍低于预期,甚至在某些部分出现困难,需要重新安排,导致苹果等多家客户近期下单均以N5制程节点及其衍生的工艺为主,扩大了N4、N4P和N4X等工艺的使用。台积电N3制程节点专为智能手机和高性能计算(HPC)芯片而设计,在N5制程节点上进一步应用极紫外光刻(EUV)技术,光罩层数将超过20层。台积电承诺N3工艺相比N5工艺,性能可提高10%-15%,或者降低25%-30%的功耗。

台积电总裁魏哲家曾表示,N3制程节点仍使用FinFET晶体管的结构,是为客户提供最佳的技术成熟度、性能和成本。在台积电3nm工艺技术推出的时候,将成为业界最先进的PPA和晶体管技术,N3制程节点将成为台积电另一个大规模量产且持久的.制程节点。早有 ……此处隐藏364个字……充道,台积电已经将3NM工艺划分出N3、N3E与N3B等多个版本,以符合不同客户的需求。目前来看,苹果、英特尔等大厂已经预定了大部分的3NM产能,现在台积电良率爬坡遇阻,不知道我们有没有机会如期看到各家大厂的最新产品。

相比于5NM,3NM制程的晶体管密度提升70%、性能提升15%、功耗降低30%,采用该制程的芯片无论是功耗还是性能表现,都会比5NM芯片有不小的提升,尤其是智能手机,内部空间有限,散热效果不能跟平板、PC等产品相比,所以对芯片制程的要求也就更高。

近两年,台积电的制程工艺总会优于三星,尤其是竞争异常激烈的7NM、5NM节点,前者生产的芯片基本都没有出现过翻车的迹象,而基于三星的5NM制程打造的骁龙、猎户座芯片,体验似乎都不太理想。

在3NM这个节点,三星用上了GAAFET环绕栅极场效应晶体管技术,理论上晶体管密度更高、功耗更低,而台积电的3NM很可能还是FinFET立体晶体管技术,也就是说,后者3NM良率爬坡受阻,三星有望获得更多反超的机会。

台积电多次修改蓝图,说明3NM的工艺难度确实比5NM要高不少,如果大规模量产延迟,苹果、英特尔等厂商可能都会成为最大的输家,毕竟台积电几乎是它们唯一的代工厂,新工艺推迟就意味着很多产品的发布会慢于对手。此外,3NM工艺的最终效果也成为了最关注的一个方面。

当然了,台积电总裁自信满满称3NM进度符合预期,可能说明良率爬坡只是“小插曲”,采用该工艺打造的新品还是能够如期而至,相信明年我们还是能看到新芯片准时发布。

《台积电3NM或又要跳票.doc》
将本文的Word文档下载到电脑,方便收藏和打印
推荐度:
点击下载文档

文档为doc格式